Mayor movilidad: El germanio tiene una mayor movilidad de portadores que el silicio, lo que significa que los portadores de carga (electrones o huecos) pueden moverse más libremente a través del material. Esto da como resultado una tensión Hall mayor, lo que hace que la medición del efecto Hall sea más precisa.

Menor concentración de portador: El germanio tiene una concentración de portadores intrínsecos más baja que el silicio, lo que significa que hay menos portadores de carga libres en el material a temperatura ambiente. Esto reduce el ruido de fondo en la medición del efecto Hall, facilitando la detección de la señal de interés.

Facilidad de procesamiento: El germanio es más fácil de procesar que el silicio, lo que lo hace más adecuado para fabricar las muestras delgadas necesarias para los experimentos de efecto Hall. El germanio se puede escindir fácilmente para producir superficies de alta calidad y se puede dopar con impurezas para controlar sus propiedades eléctricas.

En resumen, la mayor movilidad de los portadores, su menor concentración y su facilidad de procesamiento hacen del germanio un material más adecuado para los experimentos de efecto Hall en comparación con el silicio.