* Crecimiento epitaxial: Esto ocurre cuando los átomos de metal se depositan sobre un sustrato aislante monocristalino con la misma estructura cristalina. Los átomos del metal adoptarán entonces la misma estructura cristalina que el sustrato, y la interfaz entre el metal y el aislante será atómicamente nítida.
* Crecimiento policristalino: Esto ocurre cuando los átomos del metal se depositan sobre un sustrato aislante policristalino, es decir, uno que está compuesto por muchos cristales pequeños con diferentes orientaciones. Los átomos del metal formarán entonces pequeños cristales con diferentes orientaciones y la interfaz entre el metal y el aislante será rugosa.
* Crecimiento amorfo: Esto ocurre cuando los átomos del metal se depositan sobre un sustrato aislante amorfo, es decir, uno que no tiene una estructura cristalina regular. Los átomos del metal formarán entonces una disposición desordenada y la interfaz entre el metal y el aislante será difusa.
El tipo de disposición que se forme dependerá de varios factores, incluidos el metal y los materiales aislantes, la temperatura de deposición y la velocidad de deposición. El crecimiento epitaxial normalmente ocurre a altas temperaturas y bajas tasas de deposición, mientras que el crecimiento policristalino y amorfo típicamente ocurre a temperaturas más bajas y tasas de deposición más altas.
Los átomos metálicos también pueden disponerse sobre un aislante de formas más complejas, como formando islas, grupos o incluso nanocables. Las propiedades de la interfaz metal-aislante dependerán de la disposición de los átomos metálicos y pueden adaptarse controlando las condiciones de crecimiento.
