Un cristal normalmente se convierte en conductor cuando se somete a un proceso llamado dopaje. El dopaje es la introducción intencionada de impurezas en un material semiconductor para modificar sus propiedades eléctricas. Cuando se agregan ciertas impurezas a un cristal, pueden donar o aceptar electrones, lo que aumenta la cantidad de portadores de carga libres en el material y le permite conducir electricidad.

Por ejemplo, en el caso del silicio, que es un semiconductor, el dopaje se puede realizar añadiendo átomos con un electrón de valencia más o uno menos que el silicio. Si se agregan átomos con un electrón de valencia más (como el fósforo), los electrones adicionales quedan débilmente unidos y pueden moverse fácilmente alrededor de la red cristalina, creando un portador de carga negativa conocido como semiconductor tipo n. Por otro lado, si se añaden átomos con un electrón de valencia menos (como el boro), los huecos resultantes (electrones faltantes) pueden moverse alrededor de la red, creando un portador de carga positiva, dando lugar a un semiconductor de tipo p.

Al controlar cuidadosamente el tipo y la concentración de dopantes, la conductividad eléctrica de un cristal se puede ajustar con precisión para diversas aplicaciones. El dopaje es esencial en la fabricación de transistores, diodos y otros dispositivos semiconductores que forman la columna vertebral de la electrónica moderna.