Investigadores del Laboratorio Nacional Oak Ridge y la Universidad Sungkyunkwan de Corea están utilizando microscopía avanzada para nanodiseñar materiales prometedores para computación y electrónica en una era más allá de Moore.

Históricamente, las computadoras se han vuelto más rápidas y poderosas por la Ley de Moore, una observación de que la tecnología avanza a medida que se reducen los tamaños de los transistores. Los transistores de escala nanométrica de hoy en día están alcanzando límites prácticos y se necesitan nuevos enfoques para escalar la tecnología existente.

Un equipo del Centro de Ciencias de Materiales Nanofásicos de ORNL ha aplicado un haz enfocado de iones de helio para adaptar localmente la ferroelectricidad en una película delgada de óxido metálico, mejorando una propiedad útil para los transistores y la memoria. Resultados publicados en Science mostrar cómo la microscopía de iones de luz puede desbloquear funcionalidades únicas en materiales y crear nuevas vías para diseñar dispositivos futuros.

"Este proyecto destaca las capacidades avanzadas de haz de iones y sonda de exploración disponibles para los usuarios de CNMS, que abren nuevas fronteras para controlar localmente y comprender las propiedades de los materiales en la nanoescala", dijo Liam Collins de ORNL. + Explora más

Los microscopios autónomos descubren atajos hacia nuevos materiales