Al emplear pulsos ultracortos de infrarrojo medio y terahercios de menos de una billonésima de segundo, Los investigadores del Laboratorio Ames pudieron aislar y controlar con éxito las propiedades superficiales de un bismuto-selenio (Bi 2 Se 3 ) Aislante topológico tridimensional. Crédito:Laboratorio Ames
Los científicos del Laboratorio Ames del Departamento de Energía de EE. UU. Han descubierto un medio para controlar la conductividad de la superficie de un aislante topológico tridimensional (3-D), un tipo de material que tiene aplicaciones potenciales en dispositivos espintrónicos y computación cuántica.
Los aislantes topológicos tridimensionales son materiales emergentes que son muy prometedores debido a sus estados únicos de conducción de electrones en sus superficies. inmune a la retrodispersión, versus el interior a granel, que se comporta como un aislante normal.
Pero sigue siendo un desafío apuntalar y controlar selectivamente su transporte de alta frecuencia en la superficie sin una mayor dispersión del material a granel.
Al emplear pulsos ultracortos de infrarrojo medio y terahercios de menos de una billonésima de segundo, Los investigadores del Laboratorio Ames pudieron aislar y controlar con éxito las propiedades superficiales de un bismuto-selenio (Bi 2 Se 3 ) Aislante topológico tridimensional.
El método proporciona lo que es esencialmente un nuevo "botón de ajuste" para controlar la conductividad de la superficie protegida en esta categoría de materiales.
"Creemos que este estudio podría convertirse en un método de referencia para caracterizar y manipular estos materiales, para que puedan entenderse mejor y adaptarse para aplicaciones en nuevas tecnologías cuánticas, "dijo Jigang Wang, Físico del Laboratorio Ames y profesor de la Universidad Estatal de Iowa.
La investigación se analiza con más detalle en un documento, "Manipulación ultrarrápida del transporte de superficie mejorado topológicamente impulsado por pulsos de infrarrojo medio y terahercios en Bi 2 Se 3 " en Comunicaciones de la naturaleza .
