Deposición química de vapor (CVD): Este proceso implica la reacción química de un gas precursor vaporizado con un sustrato para depositar una película delgada. Por ejemplo, el nitruro de silicio (Si3N4) puede depositarse mediante la reacción de gases silano (SiH4) y amoníaco (NH3) a altas temperaturas.

Deposición física de vapor (PVD): Este proceso implica la deposición física de material sobre un sustrato mediante evaporación o pulverización catódica. Por ejemplo, las películas metálicas se pueden depositar mediante evaporación térmica, donde el metal se calienta hasta que se vaporiza y luego se condensa sobre el sustrato.

Electrodeposición: Este proceso implica la deposición de material sobre un sustrato mediante reacciones electroquímicas. Por ejemplo, se puede depositar cobre sumergiendo el sustrato en una solución de sulfato de cobre y aplicando un voltaje entre el sustrato y un electrodo de cobre.

Epitaxia de haz molecular (MBE): Este proceso implica el crecimiento de películas delgadas monocristalinas mediante la deposición secuencial de capas atómicas individuales. Por ejemplo, MBE puede cultivar arseniuro de galio (GaAs) depositando alternativamente capas de átomos de galio y arsénico sobre un sustrato.

Deposición de capas atómicas (ALD): Este proceso implica la deposición secuencial de capas atómicas individuales mediante pulsos alternos de gases precursores. Por ejemplo, el ALD puede depositar óxido de aluminio (Al2O3) alternando pulsos de gases de trimetilaluminio (TMA) y agua (H2O).