La estructura del dispositivo de pantalla OLED flexible con circuitos de backplane basados en MoS2. (A) Esquema de MoS2 TFT de alta movilidad que utiliza una capa de pasivación de Al2O3. La capa de pasivación de Al2O3 asegura el dopaje de tipo n no solo de la región del canal MoS2 sino también de la región de contacto (arriba); Pantalla AM-OLED ultradelgada que utiliza la matriz de backplane de alto rendimiento basada en MoS2 (centro), que se adjunta como una pantalla a la piel humana (parte inferior). (B) Estructura de capa específica de la pantalla ultrafina AM-OLED. El grosor del sistema de visualización total es inferior a 7 μm. (C) Imagen óptica de la pantalla ensamblada sobre el sustrato de polímero ultrafino flexible; La baja rigidez a la flexión de la pantalla ofrece ultraflexibilidad. La imagen insertada muestra el estado plano del circuito de visualización de matriz activa.
Un equipo de investigadores de la Universidad de Yonsei, y la Universidad de Chung-Ang, ambos en Corea, ha desarrollado un MoS 2 transistor que se puede utilizar con pantallas OLED flexibles. En su artículo publicado en el sitio de acceso abierto Avances de la ciencia , el grupo explica cómo superar el problema de la resistencia entre el MoS2 y la fuente y el drenaje de un transistor para crear una matriz operativa flexible de 6x6 píxeles.
A medida que los fabricantes de teléfonos buscan formas de diferenciarse de sus competidores, la investigación continúa sobre la idea de un producto verdaderamente flexible, que incluiría una pantalla flexible. Ha habido avances pero hasta la fecha, Todavía no hay un teléfono disponible comercialmente que se pueda doblar como una hoja de papel y guardar en un bolsillo trasero. En este nuevo esfuerzo, los investigadores informan que han superado uno de los obstáculos involucrados en traer un teléfono verdaderamente flexible, televisión u otro dispositivo de pantalla al mercado.
Uno de los obstáculos serios para los dispositivos flexibles es la resistencia que se produce entre MoS 2 y la fuente de un transistor y los electrodos de drenaje, es demasiado alto para un uso práctico. Para superar este problema, los investigadores colocaron el transistor entre dos capas de óxido de aluminio en lugar de sobre un trozo de dióxido de silicio como se ha hecho tradicionalmente. Señalan que la interfaz entre los dos materiales mejoró el flujo de electrones hacia el semiconductor, que sirvió para superar la resistencia encontrada con otros enfoques. El resultado, agregan, fue un impulso en la movilidad de los portadores de carga. Señalan también que debido a su suavidad, no había lugares donde la carga pudiera quedar atrapada, cuales, ellos reclaman, movilidad mejorada aún más.
Los investigadores demostraron su idea mediante la creación de un dispositivo de visualización de matriz de píxeles de 6x6 que podía fijarse a la piel como una curita; era capaz de mostrar números, como una calculadora pasada de moda. El equipo informa que el dispositivo flexible (que tenía solo siete micrómetros de grosor) podía soportar doblarse repetidamente en un radio de un milímetro.
Se requiere más investigación para averiguar si la técnica se puede escalar para su uso en un dispositivo de alta resolución, y de ser así, si se puede hacer de forma económica.
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