Si + 2CuCl2 → SiCl4 + 2Cu
En esta reacción, el silicio actúa como agente reductor, transfiriendo electrones a iones de cobre (Cu2+) en cloruro de cobre. Como resultado, los iones de cobre se reducen a cobre elemental (Cu), que forma una capa sólida en la superficie del silicio. Al mismo tiempo, los átomos de silicio se oxidan para formar tetracloruro de silicio (SiCl4), un líquido volátil.
La reacción general se puede resumir como:
El silicio reduce los iones de cobre, formando cobre elemental y tetracloruro de silicio.
Esta reacción se utiliza comúnmente en la industria de los semiconductores para eliminar contaminantes de cobre no deseados de las obleas de silicio durante la fabricación de circuitos integrados. La contaminación por cobre puede afectar negativamente a las propiedades eléctricas de los dispositivos de silicio, por lo que es fundamental eliminarla antes de continuar con el procesamiento.
