Los nanopuentes son estructuras diminutas que consisten en una tira estrecha de material que conecta dos piezas de material más grandes. A menudo se utilizan en dispositivos electrónicos para controlar el flujo de corriente. Sin embargo, los métodos tradicionales para crear nanopuentes son complejos y requieren mucho tiempo, lo que los hace poco prácticos para la producción en masa.
La nueva técnica desarrollada en Berkeley utiliza un proceso llamado "litografía de nanocables autoalineados" para crear los nanopuentes. Este proceso comienza con la deposición de una fina capa de material, como silicio o metal, sobre un sustrato. Luego, el material se modela mediante un proceso litográfico para crear una serie de líneas estrechas. Luego, estas líneas se graban mediante un proceso de grabado de iones reactivos (RIE) para formar los nanopuentes.
La ventaja de esta técnica es que permite la colocación precisa de nanopuentes individuales con un alto grado de precisión. Esto es importante para el desarrollo de dispositivos a nanoescala, ya que el posicionamiento preciso de los componentes es esencial para su correcto funcionamiento.
Los investigadores demostraron la técnica creando una serie de nanopuentes con diferentes anchos y longitudes. Descubrieron que los nanopuentes podían colocarse con precisión con una tolerancia de menos de 10 nanómetros. Este nivel de precisión es suficiente para el desarrollo de muchos dispositivos a nanoescala.
Los investigadores creen que la litografía de nanocables autoalineados podría reducir potencialmente el coste y la complejidad de la fabricación de dispositivos a nanoescala. Esto podría abrir nuevas posibilidades para el desarrollo de una amplia gama de dispositivos electrónicos a nanoescala, incluidos transistores, sensores y NEMS.
La investigación fue publicada en la revista Applied Physics Letters.
