Usando recursos experimentales en EMSL, Científicos del Pacific Northwest National Laboratory y del University College London han demostrado que la mezcla se produce en la interfaz de dos perovskitas, aluminato de lantano y titanato de estroncio, para una variedad de composiciones. El entremezclado es de interés porque esta interfaz es conductora cuando se prepara bajo ciertas condiciones, y las posiciones de los átomos en la interfaz influyen en la estructura electrónica.

Cuando los científicos comenzaron a medir la conductividad interfacial, desarrollaron un modelo bidimensional que plantea la hipótesis de una reconstrucción electrónica en la interfaz desencadenada por el crecimiento de una perovskita polar en una perovskita no polar con poca o ninguna entremezcla como causa de la conductividad. Lograr conductividad en tales interfaces podría tener repercusiones positivas para el desarrollo de la electrónica de próxima generación.

Habiendo estudiado otras muestras durante mucho tiempo, el equipo de PNNL y UCL diseñó y probó sus propios materiales. Demostraron sistemáticamente que la mezcla interfacial se produce en una variedad de esteioquiometrías en mayor medida de lo que se pensaba anteriormente.

El equipo llevó a cabo esta investigación utilizando la deposición por láser pulsado para crear capas delgadas de aluminato de lantano y titanato de estroncio. Las capas depositadas eran del orden de 2 nanómetros, u 8 capas atómicas, grueso. Se eligió esta profundidad porque es la profundidad mínima necesaria para lograr la conductividad. Próximo, el equipo examinó los materiales que crearon utilizando espectroscopía de fotoelectrones de rayos X de resolución angular in situ. El estudio reveló que una mezcla bastante extensa del aluminio, lantano, estroncio, y los iones de titanio se encuentran en la interfaz de todas las películas investigadas. Estos resultados estaban en desacuerdo con los modelos simples de formación de interfaces cuasi abruptas.