Centro de materiales a nanoescala (CNM) en los usuarios del Laboratorio Nacional de Argonne del Politecnico di Milano en Italia, trabajar en colaboración con investigadores del Grupo de Dispositivos y Materiales Electrónicos y Magnéticos, han demostrado la modificación reversible y local de las propiedades electrónicas del grafeno mediante la pasivación del hidrógeno y la posterior desorción de hidrógeno estimulada por electrones con una punta de microscopio de efecto túnel (STM).

El grafeno es un conductor bidimensional casi ideal que consta de una sola hoja de átomos de carbono empaquetados hexagonalmente. La pasivación del hidrógeno modifica las propiedades electrónicas del grafeno, abriendo una brecha en la densidad local de estados.

El estado de aislamiento se invierte por la desorción local del hidrógeno, sobre el cual se recuperan las propiedades electrónicas inalteradas. Usando este mecanismo, los patrones de grafeno se pueden "escribir" en escalas de longitud nanométrica. Para regiones con patrones de 20 nm o más, las propiedades electrónicas inherentes al grafeno se recuperan por completo. Por debajo de 20 nm, Se observan variaciones dramáticas en las propiedades electrónicas.

Este mecanismo reversible y local tiene implicaciones de gran alcance para los circuitos a nanoescala fabricados con este material revolucionario.