(a) Micrografía electrónica de transmisión transversal del plano m Al2 O3 /Cr2 O3 interfaz con el eje c [0001] orientado fuera de la página y (b,c) los difractogramas correspondientes de Cr2 O3 y Al2 O3 indicando orden epitaxial. (d) Geometría de la muestra. El campo magnético se aplica paralelo al eje c. (e) Voltaje Spin Seebeck (SSE) del Cr2 O3 La muestra /Pt muestra un cambio de signo a lo largo de la transición SF. (f) Las señales SSE dominadas por magnones de izquierda (LH) y cuasiferromagnéticos (QFM) caen rápidamente con el aumento de la temperatura. Crédito:Rodolfo Rodríguez et al, Physical Review Research (2022). DOI:10.1103/PhysRevResearch.4.033139
Los antiferromagnetos tienen magnetización neta cero y son insensibles a las perturbaciones del campo magnético externo. Los dispositivos espintrónicos antiferromagnéticos son una gran promesa para crear futuras plataformas de almacenamiento, procesamiento y transmisión de información ultrarrápidas y energéticamente eficientes, lo que podría conducir a computadoras más rápidas y energéticamente eficientes.
Pero para que sean útiles para las aplicaciones que afectan la vida cotidiana, los dispositivos deben poder funcionar a temperatura ambiente. Uno de los ingredientes clave en la realización de espintrónica antiferromagnética es la inyección de corriente de espín en la interfaz antiferromagnética. Anteriormente, la inyección de espín eficiente en estas interfaces se realizaba a temperaturas criogénicas.
Un equipo dirigido por Igor Barsukov de la Universidad de California, Riverside, en colaboración con investigadores de Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, la Universidad de Utah y la Universidad de California, Irvine, ha demostrado ahora un transporte de espín eficiente en un antiferromagnético/ferromagnético. híbrido que se mantiene robusto a temperatura ambiente. Los investigadores observaron el acoplamiento de subsistemas magnónicos en el antiferromagnético y el ferromagnético y reconocieron su importancia en el transporte de espín, un proceso clave en el funcionamiento de los dispositivos basados en espín.
El estudio aparece en Physical Review Research .
"Nuestros resultados unen los fenómenos orbitrónicos de espín de los metales ferromagnéticos con la espintrónica antiferromagnética y demuestran un avance significativo hacia la realización de dispositivos de espintrónica antiferromagnética a temperatura ambiente", dijo Barsukov, profesor asistente de física y astronomía.
A Barsukov se unieron en la investigación Rodolfo Rodríguez, Shirash Regmi, Hantao Zhang, Wei Yuan, Jing Shi y Ran Cheng de la UCR; Pavlo Makushko, Ihor Veremchuk, René Hübner y Denys Makarov de Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf; y Eric A. Montoya de la Universidad de Utah y anteriormente de UC Irvine. Un nuevo avance en 'espintrónica' podría impulsar la tecnología de datos de alta velocidad
