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    Diodos emisores de luz infrarroja cercana flexibles y de gran superficie

    La Figura (A) muestra la electroluminiscencia uniforme de un diodo emisor de luz de perovskita flexible de gran área desarrollado por el equipo de investigación. La Figura (B) muestra la iluminación con un diodo emisor de luz de perovskita en el infrarrojo cercano en la parte posterior del puño. Esto permite obtener imágenes de los vasos sanguíneos subcutáneos. Crédito:Nature Photonics

    Los LED infrarrojos son útiles para comunicaciones ópticas e iluminación encubierta, y se encuentran comúnmente en controles remotos y configuraciones de cámaras de seguridad. Generalmente son fuentes puntuales pequeñas, lo que limita su uso si se requiere una iluminación de área más grande en las proximidades, por ejemplo, en un dispositivo portátil.

    Un equipo de investigación dirigido por el profesor TAN Zhi Kuang del Departamento de Química y el Instituto de Investigación de Energía Solar de Singapur (SERIS), NUS ha desarrollado alta eficiencia, LED de infrarrojo cercano que pueden cubrir un área de 900 mm 2 utilizando métodos de procesamiento de soluciones de bajo costo. Esto es varios órdenes de magnitud más grande que los tamaños logrados en otros esfuerzos, y abre una gama de nuevas aplicaciones interesantes. Sus dispositivos emplean un nuevo semiconductor basado en perovskita, que es un semiconductor de banda prohibida directa que es capaz de emitir una luz intensa. Al utilizar una nueva arquitectura de dispositivo, el equipo de investigación puede sintonizar con precisión la inyección de electrones y huecos (cargas negativas y positivas) en la perovskita, de manera que un número equilibrado de cargas opuestas podría encontrarse y dar lugar a una generación de luz eficiente. El equipo también descubrió que esta mejora permitía fabricar dispositivos de gran superficie con una reproducibilidad significativamente mayor.

    Sr. ZHAO Xiaofei, un doctorado estudiante del equipo de investigación dijo:"Descubrimos que la eficiencia de la inyección del orificio es un factor significativo que afecta el rendimiento de los dispositivos. Al utilizar un semiconductor orgánico con un potencial de ionización menor como parte de la estructura del dispositivo, pudimos mejorar la inyección del agujero y lograr el equilibrio de carga. Esto permitió que nuestros dispositivos emitieran luz con eficiencias (eficiencia cuántica externa del 20%) cercanas a su límite teórico, y además redujo la variación de rendimiento de dispositivo a dispositivo, permitiendo así la realización de dispositivos mucho más grandes ".

    El profesor Tan dijo:"Algunas de las tecnologías que nuestro dispositivo podría habilitar pueden incluir iluminación encubierta en el reconocimiento facial o tecnologías de seguimiento ocular de realidad aumentada / realidad virtual. En particular, Hemos demostrado que nuestros LED podrían ser adecuados para aplicaciones que involucran iluminación subcutánea de tejido profundo, como en los dispositivos portátiles de seguimiento de la salud ".

    "Estos materiales también podrían desarrollarse para emitir luz en toda la gama de colores visibles. Por lo tanto, podrían aplicarse en las nuevas generaciones de pantallas electrónicas de panel plano, "añadió.


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