Los investigadores han diseñado un dispositivo de memoria basado en semiconductores atómicamente delgados y han demostrado que, además de exhibir un buen desempeño en general, la memoria también se puede borrar completamente con luz, sin asistencia eléctrica. La nueva memoria tiene aplicaciones potenciales para la tecnología de sistema en panel, en el que todos los componentes de un dispositivo electrónico están integrados en un panel de visualización, resultando en dispositivos ultradelgados para automóviles, celulares, y otras aplicaciones.

Los investigadores, Long-Fei He y col., en la Universidad de Fudan y el Instituto de Microelectrónica de la Academia de Ciencias de China, han publicado un artículo sobre la nueva memoria en un número reciente de Letras de física aplicada .

Como la mayoría de las tecnologías de memoria existentes son demasiado voluminosas para integrarse en un panel de visualización, Los investigadores han estado investigando diseños y materiales completamente nuevos para fabricar dispositivos de memoria ultradelgados que aún exhiben un buen rendimiento. En el nuevo estudio, los investigadores utilizaron un semiconductor atómicamente delgado:el dicalcogenuro de metal de transición bidimensional MoS ₂ —Cuya conductividad se puede ajustar finamente para permitirle formar la base de una memoria con una alta relación de corriente de encendido / apagado.

En pruebas, los investigadores también demostraron que la memoria tiene una velocidad de operación rápida, una gran ventana de memoria, y excelente retención:incluso a altas temperaturas de 85 ° C (185 ° F), los investigadores estiman que después de 10 años la memoria mantendría el 60% de su ventana de memoria original, que todavía es lo suficientemente grande para aplicaciones prácticas.

Dado que investigaciones anteriores han demostrado que MoS ₂ es fotosensible, lo que significa que algunas de sus propiedades se pueden controlar con luz, Los científicos aquí investigaron qué sucede con el dispositivo de memoria en general cuando se ilumina con luz. Observaron que, cuando la luz se ilumina en un dispositivo de memoria programado, la memoria se borra por completo. Sin embargo, se debe usar un voltaje para escribir en la memoria, y todavía se puede usar un voltaje en lugar de luz para borrar la memoria.

Los investigadores esperan que, en el futuro, el nuevo diseño de memoria puede jugar un papel importante en las aplicaciones del sistema en el panel, que planean investigar más a fondo.

"En general, system-on-panel (SOP) describe una nueva tecnología de visualización en la que los componentes activos y pasivos están integrados en un paquete de panel, normalmente en el mismo sustrato de vidrio (a veces, el sistema sobre panel también se denomina sistema sobre vidrio), ", dijo el coautor Hao Zhu de la Universidad de Fudan Phys.org . "Esto es diferente de las tecnologías de visualización tradicionales, como las pantallas de tubo de rayos catódicos (CRT). Una característica importante de SOP es la aplicación de tecnología de película fina, como matrices de transistores de película fina (TFT) de polisilicio de baja temperatura (LTPS) sobre el sustrato de vidrio. Sin embargo, Los transistores de película delgada basados ​​en silicio están siendo reemplazados por TFT con nuevos materiales con propiedades mejoradas. La película delgada de óxido de indio, galio y zinc (IGZO) o de óxido de zinc y estaño (ZTO) que se mencionan en nuestro artículo también es un buen ejemplo.

"En la actualidad, Estamos trabajando en la integración a gran escala de estos dispositivos de memoria 2D borrables con luz que utilizan pulsos de luz programables con longitud de onda y duración de pulso controlable. ", dijo." Estamos utilizando nuevos métodos de síntesis de materiales como la deposición de la capa atómica para hacer crecer MoS de gran superficie ₂ y otras películas ultrafinas 2-D para aplicaciones a nivel de circuito ".

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