Sin embargo, los transistores se caracterizan por varios parámetros, cada uno con su propia unidad:
* ganancia de corriente (β o HFE): Esta es una relación adimensional, que representa el factor de amplificación del transistor. Es la relación entre la corriente de la corriente del colector a la base.
* Transconductancia (GM): Medido en siemens (s) o mho (℧) . Esto representa el cambio en la corriente de salida para un cambio en el voltaje de entrada.
* Resistencia de salida (RO): Medido en ohmios (ω) . Representa la resistencia del circuito de salida.
* Resistencia de entrada (RI): Medido en ohmios (ω) . Representa la resistencia del circuito de entrada.
* Disipación de potencia: Medido en vatts (w) . Esto indica la potencia máxima que el transistor puede manejar sin sobrecalentamiento.
* Voltaje: Medido en voltios (v) . Esto se refiere al voltaje en diferentes partes del transistor, como el emisor base o las uniones del emisor de colección.
* frecuencia: Medido en hertz (Hz) . Esto indica la frecuencia a la que el transistor puede operar de manera efectiva.
Entonces, si bien no hay "unidad de un transistor", comprender las unidades de estos parámetros es crucial para caracterizar y analizar el comportamiento del transistor.
