1. Oxidación:
* reacción: Silicio (Si) + oxígeno (O2) → dióxido de silicio (SiO2)
* Proceso: Esta reacción forma una capa protectora de dióxido de silicio (SiO2), también conocida como sílice, en la superficie de la oblea de silicio. Esta capa actúa como un aislante, evitando conexiones eléctricas no deseadas y proporcionando una superficie estable para un procesamiento posterior.
* Propósito: Crea una capa de barrera para los pasos posteriores, define patrones para transistores y ayuda con el dopaje.
2. Doping:
* reacción: Silicio (Si) + dopante (por ejemplo, boro, fósforo, arsénico) → silicio dopado
* Proceso: Este proceso implica la introducción de impurezas (dopantes) en la red de cristal de silicio. Estas impurezas pueden agregar electrones adicionales (dopaje de tipo N) o crear "agujeros" para que los electrones se muevan (dopaje de tipo P).
* Propósito: Los dopantes controlan la conductividad eléctrica del silicio, lo que permite la creación de uniones P-N, que son fundamentales para los transistores y otros dispositivos semiconductores.
Estos son solo dos ejemplos de las muchas reacciones químicas involucradas en la fabricación de chips de silicio. El proceso es extremadamente complejo e implica muchas otras reacciones como el grabado, la deposición y la fotolitografía.
