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    Nueva interacción entre imanes de película fina para dispositivos de memoria más rápidos

    Dr. Dong-Soo Han. Crédito:Universidad Tecnológica de Eindhoven

    Un gran descubrimiento en el campo del electromagnetismo se abre al diseño de estructuras de espín tridimensionales, que podrían ser las unidades básicas de las unidades de almacenamiento magnético del futuro.

    Investigadores de la Universidad Tecnológica de Eindhoven, Alemania y Corea del Sur descubrieron una nueva interacción entre los imanes de película fina, que sienta las bases para dispositivos de memoria más rápidos y robustos con mayor capacidad de datos. Los resultados se publican hoy en Materiales de la naturaleza .

    Hoy en día, transmitimos videos de manera ubicua, descargar audiolibros a dispositivos móviles, y almacenar una gran cantidad de fotos en nuestros dispositivos. Por lo tanto, la capacidad de almacenamiento que necesitamos está creciendo rápidamente, y los investigadores están trabajando arduamente para desarrollar nuevas opciones de almacenamiento de datos. Una posibilidad está representada por el llamado 'dispositivo de memoria de pista de carreras, "en el que los datos se almacenan en nanocables en forma de capas magnetizadas opuestamente ('dominios').

    Un equipo de investigación de TU / e, Universidad Johannes Gutenberg (JGU) (Alemania), Instituto Peter Grunberg (PGI), Instituto de Ciencia y Tecnología Daegu Gyeongbuk (Corea del Sur) y Universidad de Sogang (Corea del Sur), ahora ha hecho un descubrimiento que podría mejorar significativamente estos dispositivos de memoria para pistas de carreras. En lugar de utilizar dominios individuales, en el futuro, se podría almacenar la información en estructuras de espín tridimensionales, haciendo que los recuerdos sean más rápidos, más robusto y proporcionando una mayor capacidad de datos.

    Interacción de acoplamiento entre capas. Dos capas ferromagnéticas (rojo, azul) alineados en antiparalelo (las flechas indican la dirección del sur al polo norte) son forzados por este efecto electrónico a "torcer" su magnetización (como lo indican los brazos) agregando una quiralidad (sentido de rotación preferencial). Crédito:Universidad Tecnológica de Eindhoven

    Nueva interacción

    El equipo de investigación pudo demostrar una interacción hasta ahora desconocida, que ocurre entre dos capas magnéticas delgadas separadas por una capa no magnética. Generalmente, los giros se alinean en paralelo o en antiparalelo entre sí. Esto también sería de esperar para estas dos capas magnéticas separadas. Sin embargo, en este trabajo, los investigadores han podido demostrar que los giros en las dos capas están torcidos entre sí. Más precisamente, se acoplan para alinearse perpendicularmente, en un ángulo de 90 grados entre sí.

    Reinoud Lavrijsen, profesor asistente de Física Aplicada:"Este descubrimiento revolucionario abre la posibilidad de diseñar varias estructuras de espín tridimensionales nuevas, lo que a largo plazo podría dar lugar a nuevas unidades de almacenamiento magnético. La interacción identificada, sin embargo, en este momento no es lo suficientemente fuerte para aplicaciones, pero estamos comprometidos a diseñar y optimizar esto aún más para que pueda ser utilizado en futuros dispositivos lógicos y de almacenamiento de datos tridimensionales ".


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