Figura 1. Fotografías de autores clave:(izquierda) el primer autor Javeed Mahmood; (derecha) el principal autor correspondiente Jong-Beom Baek. Copyright:Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan
Los investigadores de Corea del Sur tienen, por primera vez, desarrolló una técnica simple para producir un cristal bidimensional que contiene nitrógeno que tiene la capacidad de ser un rival potencial del grafeno y el silicio como materiales semiconductores.
El grafeno es una lámina bidimensional (2D) de cristales de carbono de un átomo de espesor que tiene muchas propiedades extraordinarias en términos de su resistencia. conductividad eléctrica y térmica, y transparencia óptica. El grafeno se muestra prometedor para su uso en nanoelectrónica, almacenamiento de hidrógeno, baterías y sensores.
La investigación sobre el grafeno en los últimos años ha despertado un gran interés entre los científicos sobre el potencial de sintetizar otros cristales 2D mediante la introducción de elementos distintos del carbono en la red de carbono del grafeno. La motivación detrás de esto es la posibilidad que esto podría brindar para desarrollar materiales que puedan usarse como un elemento de conmutación activo en la electrónica.
El tamaño atómico y la estructura del nitrógeno lo convierten en una excelente opción para este propósito porque puede encajar de forma natural en una red fuerte de átomos de carbono mediante la creación de enlaces (sp2) en los que los electrones son compartidos por toda la red.
Considerando que existen muchas dificultades en la síntesis de grafeno, El equipo de investigadores del Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan (UNIST) y la Universidad de Ciencia y Tecnología de Pohang en Corea del Sur sintetizaron cristales 2D nitrogenados mediante una simple reacción química en fase líquida sin utilizar una plantilla. Los métodos convencionales para la formación de cristales 2D requieren el uso de dicha plantilla.
Figura 2. Diferencia estructural entre el grafeno y el cristal C2N-h2D:(a) grafeno; (b) Cristal C2N-h2D. Crédito:Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan
Los investigadores verificaron la estructura del cristal nitrogenado mediante imágenes de microscopía de túnel de barrido de resolución atómica y confirmaron su naturaleza semiconductora probándola con un transistor de efecto de campo. La estructura geométrica y electrónica única de los cristales nitrogenados los hace potencialmente adecuados para su uso en electrónica, sensores y catálisis.
Su síntesis exitosa utilizando una técnica simple puede abrir un nuevo capítulo en la generación rentable de otros materiales 2D.
"Creemos que los resultados presentados en este trabajo brindan no solo un avance convincente en ciencia y tecnología de materiales, pero también un potencial emocionante para una amplia gama de aplicaciones prácticas, desde química húmeda hasta aplicaciones de dispositivos, "dice el profesor Jong-Beom Baek, profesor de la Facultad de Ingeniería Química y Energética de la UNIST. "Por lo tanto, el material atraería la atención inmediata de una amplia gama de disciplinas, debido a sus potenciales impactos científicos y tecnológicos, " él dice.
Figura 3. Imágenes de microscopio de efecto túnel de barrido (STM) de resolución atómica:(a) imagen STM sin imagen superpuesta estructuralmente; (b) Imagen STM con imagen superpuesta estructuralmente (gris:átomo de carbono, cian:átomo de nitrógeno). Crédito:Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología de Ulsan