Un grupo de investigación dirigido por el Prof. Sheng Zhigao de los Institutos de Ciencias Físicas de Hefei (HFIPS) de la Academia de Ciencias de China (CAS) desarrolló un modulador electroóptico de terahercios (THz) activo e inteligente. Sus resultados se publicaron en ACS Applied Materials &Interfaces .

La tecnología de terahercios ha atraído una gran atención en los últimos años debido a sus amplias aplicaciones en imágenes, comunicaciones, medicina y seguridad. Estas aplicaciones impulsan la necesidad urgente de dispositivos THz de alto rendimiento. Los moduladores de THz activos e inteligentes son un requisito urgente para el escaneo inteligente de haces de THz y la generación automática de imágenes de terahercios.

En este estudio, los investigadores propusieron este modulador electro-óptico de THz activo e inteligente basado en dióxido de vanadio (VO₂ ) película. Además de la transmisión y la absorción, también puede modular eléctricamente la reflexión y la fase de las ondas THz.

Mediante el uso de una transición de aislante a metal inducida por corriente eléctrica en el VO₂ película, los investigadores lograron una antirreflexión casi perfecta (99,9 % de profundidad de modulación) y un cambio de fase de 180°. El control de THz electro-óptico inteligente se realizó en el VO₂ estructura mediante el uso de un circuito de retroalimentación de geometría "THz-electro-THz".

La amplitud de THz deseada podría lograrse con precisión sin importar cuál fuera la condición inicial y cómo cambiara el entorno externo.

Este método de modulación de THz electro-óptico propuesto, que utiliza material de electrones fuertemente correlacionados, ha abierto caminos para la realización de dispositivos inteligentes de THz. + Explora más

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