Recientemente, Investigadores del Instituto de Óptica y Mecánica Fina de Shanghai (SIOM) de la Academia de Ciencias de China (CAS) han proporcionado la nueva idea de co-bombear amplificadores Raman de frecuencia única. El resultado relevante fue publicado en Óptica Express el 7 de mayo.

Longitud de onda especial, monofrecuencia, Los láseres de fibra de alta potencia tienen una amplia gama de aplicaciones en los campos de la astronomía, geofísica, y tecnología de la información cuántica. La tecnología de amplificador de fibra Raman (RFA) es un método eficaz para obtener estos láseres de longitud de onda especiales de alta potencia. La forma de contrabombeo utilizada tradicionalmente en las RFA tiene una estructura complicada y el aumento de potencia está limitado por la dispersión de Brillouin estimulada y los dispositivos de alta potencia relacionados. La forma de co-bombeo puede superar estas deficiencias. Sin embargo, en el co-bombeo de RFA, las características de ruido del láser de la bomba se transfieren fácilmente al láser de señal, lo que hace que el ancho de línea de la luz de señal se amplíe.

Debido al ruido de intensidad relativamente baja de las fuentes de emisión espontánea amplificada (ASE), el ancho total a la mitad del ancho de línea máximo del láser de señal aumenta de manera insignificante. Pero hay un aumento significativo en el ruido de intensidad relativa (RIN) y las alas espectrales debido a la transferencia de ruido a alta frecuencia desde la fuente ASE durante la amplificación Raman. Por esta razón, Se propuso el método de co-bombeo de un amplificador Raman de frecuencia única utilizando una fuente ASE de bajo ruido.

En el experimento, la fuente de semillas ASE con una longitud de onda central de 1, 065 nm se amplificó a través de tres amplificadores para obtener una potencia de salida de 20 W. El láser semilla fue un láser de diodo de frecuencia única con una longitud de onda central de 1, 122 nm y potencia de salida de 10 mW.

La fuente de ASE y el láser de semillas se enviaron a un RFA co-bombeado después de un multiplexor de división de longitud de onda. Las características de ruido de la fuente ASE se probaron en detalle, y los investigadores encontraron que la fuente ASE con un ancho completo a la mitad del máximo de 10 nm tiene un ruido RIN más bajo que el de 3 nm.

Descubrieron además que la fuente ASE de 10 nm puede lograr características de retención de ancho de línea al amplificar el 1, Fuente láser de frecuencia única de 122 nm, pero la intensidad relativa del ruido de la luz de señal mejora significativamente, que está estrechamente relacionado con la ampliación del amplificador Raman co-bombeado.

Si el ancho espectral, características de ruido, y la potencia de la fuente ASE se optimizan aún más, Se espera que logre un ruido más bajo y una amplificación láser de frecuencia única de mayor potencia.