1. Dopaje con impurezas magnéticas: Al introducir átomos o moléculas magnéticas en la red de grafeno, como hierro (Fe), cobalto (Co) o níquel (Ni), se pueden crear momentos magnéticos localizados dentro de la lámina de grafeno. Esto se puede lograr mediante deposición química de vapor (CVD), intercalación u otras técnicas de deposición.
2. Efectos de proximidad: Cuando el grafeno se coloca muy cerca de un material magnético, como un ferroimán o un aislante magnético, sus propiedades electrónicas pueden verse influenciadas por el campo magnético generado por el material vecino. Esto puede inducir un momento magnético débil en la capa de grafeno, conocido como efecto de proximidad.
3. Funcionalización química: Ciertos grupos funcionales químicos, como los átomos de oxígeno o flúor, pueden afectar la estructura electrónica del grafeno e inducir magnetismo. Al funcionalizar el grafeno con estos grupos, se pueden alterar sus propiedades magnéticas.
4. Ingeniería de cepas: La aplicación de tensión mecánica o deformaciones al grafeno puede modificar su estructura de bandas electrónicas y dar lugar a la aparición de un comportamiento magnético. Este magnetismo inducido por deformación se puede controlar variando las condiciones de deformación.
5. Efectos del sustrato: El sustrato sobre el que se cultiva o transfiere el grafeno también puede influir en sus propiedades magnéticas. Ciertos sustratos, como el nitruro de boro hexagonal (h-BN) o los dicalcogenuros de metales de transición (TMD), pueden inducir momentos magnéticos en el grafeno debido a sus propias propiedades magnéticas o efectos interfaciales.
Al explorar estas técnicas, es posible inducir magnetismo en el grafeno y manipular sus propiedades magnéticas para diversas aplicaciones en espintrónica, sensores magnéticos y otras tecnologías de dispositivos magnéticos.