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  • Generación de dos tipos de operaciones de bloqueo de modo ultrarrápidas a partir de un láser de fibra dopado con Er basado en nanoláminas de germaneno
    Dos tipos de operaciones de bloqueo de modo ultrarrápidas desde un láser de fibra dopado con Er basado en nanoláminas de germaneno. Crédito:Baohao Xu, Zhiyuan Jin, Lie Shi, Huanian Zhang, Qi Liu, Peng Qin, Kai Jiang, Jing Wang, Wenjing Tang, Wei Xia;

    Los absorbentes saturables como moduladores pasivos en láseres de fibra de modo bloqueado pasivamente desempeñan un papel crucial en la generación de pulsos ultracortos. El germaneno, un material bidimensional similar al grafeno con un tiempo de relajación del portador rápido y un gran coeficiente de absorción no lineal comparable al del grafeno, es un material absorbente saturable con una respuesta muy rápida.

    Los investigadores dirigidos por el Prof. Wei Xia de la Universidad de Jinan (UJN) están interesados ​​en los interruptores de modulación en láseres de fibra, y los absorbentes saturables de materiales bidimensionales han sido un tema de investigación candente en los últimos años.

    Los materiales bidimensionales compensan las desventajas de los absorbentes saturables artificiales tradicionales, como la rotación de polarización no lineal y el espejo de bucle de amplificación no lineal con poca estabilidad ambiental y estructura compleja. Y el germaneno, como material bidimensional emergente, tiene excelentes propiedades ópticas no lineales, y explorar plenamente su rendimiento potencial tiene una contribución positiva al desarrollo de moduladores pasivos.

    Los investigadores predicen sus posibles aplicaciones. Utilizándolo como absorbente saturable, se pueden obtener pulsos de femtosegundos y pulsos similares a ruidos de mayor energía.

    El trabajo está publicado en la revista Frontiers of Optoelectronics .

    Más información: Baohao Xu et al, Dos tipos de operaciones de bloqueo de modo ultrarrápido a partir de un láser de fibra dopado con Er basado en nanohojas de germaneno, Fronteras de la optoelectrónica (2023). DOI:10.1007/s12200-023-00068-1

    Proporcionado por Higher Education Press




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