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  • Los investigadores desvelan el misterio de los imanes de van der Waals, un material para futuros semiconductores

    El equipo realizó un experimento en el que observaron el material mientras controlaban la cantidad de electrones, llevándolos a descubrir cambios en las propiedades de FGT. El equipo demostró que la anisotropía magnética, que describe cómo cambian las propiedades magnéticas del material según la dirección, contribuido a tales cambios. Crédito:Instituto de Ciencia y Tecnología de Corea (KIST)

    Drs. Chaun Jang, Jun Woo Choi, y Hyejin Ryu del Instituto Coreano de Ciencia y Tecnología (KIST, El presidente Lee Byung Gwon) han anunciado que su equipo en el Centro de Spintronics de KIST controló con éxito las propiedades magnéticas de FGT (Fe 3 Obtener 2 ) en un proyecto de investigación conjunto con el Dr. Se Young Park y su equipo en el Center for Correlated Electron Systems del Institute for Basic Science (IBS). Fe 3 Obtener 2 Recientemente ha atraído la atención como material para semiconductores espintrónicos de próxima generación.

    Nombrado mediante la combinación de los términos "giro" y "electrónica, "" espintrónica "es un nuevo campo en la ingeniería electrónica que tiene como objetivo reemplazar los semiconductores de silicio convencionales mediante la utilización de espín de electrones, una propiedad cuántica de los electrones.

    Materiales de Van der Waals, también conocidos como materiales bidimensionales (2-D), son materiales en capas compuestos por planos que se unen entre sí mediante una interacción débil de van der Waals. Estos incluyen varios materiales como el grafeno y el disulfuro de molibdeno. Cuando se combina con otros materiales 2-D, pueden crear nuevos materiales que muestren propiedades previamente desconocidas. Es por eso que los materiales 2-D, que tienen una variedad de propiedades, como la superconductividad, semiconductividad, y la metalicidad han sido objeto de muchos estudios.

    En 2017, Se descubrieron materiales 2-D de van der Waals que muestran propiedades magnéticas, estimulando proyectos de investigación y estudios en todo el mundo. Sin embargo, La mayoría de los materiales magnéticos de van der Waals tienen algunas limitaciones en términos de aplicación espintrónica debido a su baja temperatura de Curie (un punto de temperatura de transición donde un material ferromagnético cambia a uno paramagnético o viceversa) y alta coercitividad (la intensidad del campo magnético requerida para reducir la densidad de flujo magnético de un material ferromagnético a cero después de que el magnetismo de ese material se haya saturado), haciéndolos inadecuados para su uso en ciertos dispositivos.

    Se han realizado varios estudios sobre FGT, un material de van der Waals descubierto recientemente con una estructura en capas. El equipo de investigación conjunto de KIST-IBS descubrió un esquema eficiente para controlar las propiedades de FGT. El equipo realizó un experimento en el que observaron el material mientras controlaban la cantidad de electrones, llevándolos a descubrir cambios en las propiedades de FGT. El equipo demostró que la anisotropía magnética (la dependencia direccional de las propiedades magnéticas de un material en una estructura cristalográfica o geométrica), que describe cómo cambian las propiedades magnéticas del material según la dirección, contribuido a tales cambios.

    Los resultados de la investigación revelaron el origen de los cambios en las propiedades magnéticas de FGT, presentando así un posible método de controlar eficientemente las propiedades de los materiales magnéticos bidimensionales. Es más, El equipo de investigación anunció que al controlar potencialmente las propiedades de los materiales magnéticos de van der Waals de un solo átomo de espesor, el desarrollo de dispositivos espintrónicos que operan 100 veces más rápido que los dispositivos electrónicos actuales basados ​​en silicio, podría acelerarse.

    El Dr. Hyejin Ryu de KIST dijo:"Comenzamos este estudio para descubrir las propiedades magnéticas de los materiales de van der Waals y aplicar tales propiedades a los dispositivos espintrónicos". Ella añadió, "Será posible un mayor desarrollo de nuevos materiales para semiconductores con diversas propiedades mediante el uso de materiales magnéticos de van der Waals y otras heteroestructuras basadas en materiales de van der Waals".


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