(Phys.org) —Científicos del CFN, en colaboración con un científico del Departamento de Física de la Materia Condensada y Ciencia de los Materiales de BNL, han fabricado una arquitectura de transistor de efecto de campo semiconductor de polímero de canal vertical al confinar el material orgánico dentro de las rejillas de trincheras interdigitadas. Estos transistores de canal vertical tienen una movilidad electrónica similar a la de los dispositivos planos que usan el mismo semiconductor de polímero, lo cual es consistente con una reorientación molecular dentro de las trincheras de confinamiento que ahora entendemos a través de mediciones de dispersión de rayos X de sincrotrón que se realizaron en la Fuente de Luz Nacional de Sincrotrón (NSLS).

Los transistores de efecto de campo hechos de semiconductores orgánicos que poseen una salida de corriente alta y que usan voltajes de suministro de energía bajos pueden encontrar un uso tecnológico más generalizado. Los ahorros de espacio geométrico logrados con la orientación del canal perpendicular dan como resultado dispositivos que generan densidades de corriente de área que superan los 40 mA / cm ² , utilizando sólo una tensión de alimentación de un voltio. Esta configuración mantiene características operativas del dispositivo casi ideales, que se encuentran entre los mejores reportados para dispositivos basados ​​en semiconductores orgánicos.

Transistores de efecto de campo hechos de semiconductores orgánicos, que tienen una salida de alta corriente y usan bajos voltajes de suministro de energía, tienen el potencial para un uso tecnológico más generalizado en varios dispositivos electrónicos. El ahorro de espacio geométrico de una orientación de canal perpendicular da como resultado dispositivos que generan densidades de corriente de área superiores a 40 mA / cm2, utilizando sólo una tensión de alimentación de un voltio, y mantener características operativas de dispositivos casi ideales, entre las mejores reportadas para dispositivos basados ​​en semiconductores orgánicos.

Los detalles:

• Los transistores de efecto de campo semiconductores de polímero de canal vertical proporcionan una salida de corriente de más de 40 mA / cm2 a un voltaje de funcionamiento de un voltio.
• Los dispositivos mantienen atributos de rendimiento de transistores casi ideales, a pesar de un cambio de 90º en la dirección del flujo de corriente en comparación con un transistor plano.
• Las mediciones de dispersión de rayos X del sincrotrón en el NSLS muestran una reorientación de 90º de las moléculas de polímero en el dispositivo de canal vertical.