Investigadores del Instituto de Investigación en Nanoelectrónica del Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industrial Avanzada (AIST), en trabajo conjunto con un equipo NIMS, han desarrollado una técnica novedosa para controlar la conductividad eléctrica del grafeno.

En la técnica desarrollada en esta investigación, se irradia un haz de iones de helio sobre grafeno utilizando un microscopio de iones de helio para introducir artificialmente una baja concentración de defectos de cristal, y es posible modular el movimiento de electrones y huecos en el grafeno aplicando un voltaje al electrodo de puerta.

Aunque este fenómeno de control de la conducción mediante la introducción de defectos cristalinos se había predicho teóricamente, no hubo ejemplos en los que la operación de encendido / apagado a temperatura ambiente se lograra experimentalmente. Es posible introducir la técnica desarrollada en este trabajo en el marco existente de tecnología de producción, incluyendo obleas de gran superficie.

Los detalles de esta tecnología se presentaron en la Conferencia Internacional de Dispositivos y Materiales de Estado Sólido de 2012 (SSDM2012) celebrada en Kioto, Japón 25-27 de septiembre, 2012.