Se anuncia como el material maravilloso del siglo XXI con el poder de revolucionar la microelectrónica, y ganó a sus pioneros el Premio Nobel de Física 2010.

Ahora los científicos polacos dicen que han descubierto un nuevo método para producir capas enteras de grafeno, un movimiento que debería ayudar a impulsarlo fuera del laboratorio y en la vida cotidiana.

Solo un átomo de espesor la nueva forma de carbono es el nanomaterial más delgado y resistente del mundo, casi transparente y capaz de conducir electricidad y calor.

"Este es un paso importante en el camino hacia la producción de transistores y luego circuitos integrados hechos de grafeno, ", Dijo a la AFP el profesor Jacek Baranowski, del Instituto de Tecnología de Materiales Electrónicos (ITME) de Varsovia.

Nacido en Rusia, Los investigadores británicos Andre Geim y Konstantin Novoselov fueron honrados con un Nobel el pasado mes de octubre por su trabajo pionero.

En teoría, los transistores de grafeno podrían funcionar a velocidades más rápidas y hacer frente a temperaturas más altas que los chips de computadora de silicio clásicos de hoy en día.

Eso resolvería un problema de rápido crecimiento al que se enfrentan los ingenieros de chips que desean aumentar la potencia y reducir el tamaño de los semiconductores pero sin elevar las temperaturas. el error de la informática.

La transparencia del grafeno también significa que podría usarse en pantallas táctiles e incluso en células solares. y cuando se mezcla con plásticos proporcionaría materiales compuestos ligeros pero superresistentes para los satélites de próxima generación, aviones y coches.

Los electrones pueden viajar distancias relativamente grandes a través del grafeno (una milésima de milímetro es mucho en su mundo) sin verse obstaculizados por impurezas que son un problema en el silicio utilizado en el 95 por ciento de los dispositivos electrónicos.

También obtienen velocidades de 1, 000 kilómetros (620 millas) por segundo en grafeno, unas 30 veces más rápido que en el silicio.

El grafeno también es 200 veces más resistente que el acero.

Pero el problema hasta ahora ha sido la falta de métodos para producir capas, y ahí es donde entra el trabajo del equipo de investigación de Baranowski.

"El nuevo método se basa en utilizar la técnica de la epitaxia sobre carburo de silicio en una fase gaseosa, ambiente presurizado, "dijo Baranowski, quien también trabaja en la facultad de física experimental de la Universidad de Varsovia.

La epitaxia es una técnica para hacer crecer una micro-delgada, celosía en forma de panal del material deseado.

Si bien actualmente es posible producir capas de grafeno, los relativamente grandes solo se pueden hacer sobre una base de metal. Eso obstaculiza el potencial electrónico del grafeno.

Sin tal base Las técnicas actuales solo permiten una superficie de capa máxima de cuatro pulgadas cuadradas (25 centímetros cuadrados).

Los métodos actuales tampoco logran producir grafeno tan uniforme como el ideado por el equipo de Baranowski, él dijo.

Es precisamente esa uniformidad la que haría que el grafeno se pudiera utilizar más fácilmente en el sector de la alta tecnología, añadió.

El descubrimiento del equipo fue anunciado en la edición más reciente de la revista científica estadounidense Nano Letters. Está previsto que se presente en una conferencia a partir del lunes en Bilbao, España.

La investigación del ITME se llevó a cabo bajo el ala de la European Science Foundation, que agrupa a 78 organizaciones en 30 naciones.

Es parte de un proyecto más amplio destinado a producir un transistor de grafeno, junto con investigadores de la República Checa, Francia, Alemania, Suecia y Turquía.

(c) AFP 2011