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    Estiramiento del silicio:un nuevo método para medir cómo la tensión afecta a los semiconductores
    Investigadores del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) han desarrollado un nuevo método para medir cómo la tensión afecta las propiedades eléctricas de los semiconductores. Este método, llamado fotoluminiscencia inducida por estrés (SIPL), podría usarse para mejorar el rendimiento de dispositivos semiconductores, como transistores y células solares.

    Los semiconductores son materiales que pueden conducir electricidad bajo ciertas condiciones. La conductividad de un semiconductor puede verse afectada por la deformación, que es una fuerza que hace que un material se estire o se comprima. Por ejemplo, cuando se estira una oblea de silicio, aumenta su conductividad.

    Este efecto es importante para los dispositivos semiconductores porque puede usarse para controlar el flujo de electricidad. Al aplicar tensión a un semiconductor, es posible crear canales de alta conductividad que pueden transportar señales eléctricas.

    El nuevo método SIPL utiliza luz para medir la tensión en un semiconductor. Cuando la luz incide sobre un semiconductor, puede excitar electrones y hacer que emitan fotones. La energía de los fotones emitidos depende de la tensión del semiconductor. Midiendo la energía de los fotones, es posible determinar la cantidad de tensión.

    El método SIPL es muy sensible y puede medir la tensión hasta niveles muy pequeños. Esto permite estudiar los efectos de la tensión en los dispositivos semiconductores a un nivel muy detallado. Esto podría conducir a mejoras en el rendimiento de estos dispositivos.

    El nuevo método SIPL también podría utilizarse para estudiar otros materiales. Por ejemplo, SIPL podría usarse para estudiar cómo la deformación afecta las propiedades de los metales y las cerámicas. Esto podría conducir a nuevos conocimientos sobre las propiedades mecánicas de los materiales.

    El desarrollo del nuevo método SIPL supone un avance importante en el campo de la investigación de semiconductores. Este método tiene el potencial de conducir a mejoras en el rendimiento de los dispositivos semiconductores y a nuevos conocimientos sobre las propiedades de los materiales.

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