Tanto los BJT como los FET son dispositivos semiconductores de tres terminales utilizados para amplificar y cambiar las señales electrónicas. Sin embargo, difieren en sus principios operativos, construcción y características:
1. Principio operativo:
* bjt: El flujo de corriente a través de un BJT está controlado por la corriente base . Una pequeña corriente base puede controlar una corriente de colector mucho más grande. El BJT es un dispositivo controlado de corriente .
* fet: El flujo de corriente a través de un FET está controlado por el voltaje de la puerta . Un cambio en el voltaje de la puerta altera la conductividad del canal, controlando así la corriente. El FET es un dispositivo controlado por voltaje .
2. Construcción:
* bjt: Los BJT están hechos de dos uniones PN -Una unión base-emisor y una unión de colector base. La base es una región delgada y ligeramente dopada intercalada entre el emisor y el coleccionista.
* fet: Los FET consisten en una un solo unión de PN (para jfets) o una estructura metal-óxido-semiconductor (MOS) (para MOSFET). La puerta está aislada del canal por una capa de óxido.
3. Características:
bjt:
* ganancia de corriente más alta: Los BJT generalmente tienen una mayor ganancia de corriente (β) que los FET.
* Impedancia de entrada inferior: Los BJT tienen una impedancia de entrada más baja que los FET.
* Más sensible a los cambios de temperatura: Los BJT exhiben una mayor sensibilidad de temperatura que los FET.
* Más susceptible al ruido: Los BJT tienden a ser más susceptibles al ruido que los FET.
fet:
* Impedancia de entrada más alta: Los FET tienen una impedancia de entrada más alta que los BJT.
* Mayor consumo de energía: Los FET generalmente consumen menos potencia que BJTS.
* Ruido inferior: Los FET tienden a tener un ruido más bajo que los BJT.
* amplia gama de frecuencias operativas: Los FET son adecuados para aplicaciones de alta frecuencia.
4. Aplicaciones:
* bjt: Amplificadores, interruptores, osciladores, circuitos lógicos, electrónica de potencia y muchos más.
* fet: Amplificadores de bajo ruido, circuitos de RF, sensores, amplificadores de alta frecuencia y más.
Tabla de resumen:
| Característica | BJT | FET |
| --- | --- | --- |
| Mecanismo de control | Controlado actual | Controlado por voltaje |
| construcción | Dos uniones PN | Single PN Junction o MOS estructura |
| ganancia actual | Alto | Inferior |
| Impedancia de entrada | Bajo | Alto |
| Sensibilidad a la temperatura | Alto | Bajo |
| ruido | Alto | Bajo |
| Consumo de energía | Alto | Bajo |
| frecuencia operativa | Inferior | Superior |
En conclusión , tanto BJT como FET tienen sus fortalezas y debilidades, lo que los hace adecuados para diferentes aplicaciones. La elección entre ellos depende de los requisitos específicos del circuito.
