Las impurezas de los donantes en el silicio son elementos que tienen un electrón de valencia más que el silicio (que tiene 4 electrones de valencia). Estos electrones adicionales se donan fácilmente a la red de silicio, aumentando el número de electrones libres y haciendo el silicio n-type .

Aquí hay algunas impurezas de donantes comunes en el silicio:

* fósforo (p): Esta es la impureza del donante más utilizada. Tiene 5 electrones de valencia, contribuyendo con un electrón adicional a la red de silicio.

* arsenic (as): Similar al fósforo, el arsénico también tiene 5 electrones de valencia y actúa como impureza de donantes.

* antimonio (SB): El antimonio también tiene 5 electrones de valencia y es otra impureza de donantes común.

Estos elementos generalmente se agregan al silicio en cantidades muy pequeñas (piezas por millón o mil millones) para lograr la conductividad eléctrica deseada.