Los físicos de la Universidad de Lancaster han demostrado que su invención de un nuevo tipo de dispositivo de memoria podría transformar la forma en que las computadoras, los teléfonos inteligentes y otros dispositivos funcionan.

"Memoria universal" es, en esencia, una memoria donde los datos se almacenan de forma muy robusta, pero también se puede cambiar fácilmente; algo que se consideraba inalcanzable hasta ahora.

En la actualidad, los dos tipos principales de memoria, RAM dinámica (DRAM) y flash, tienen características y roles complementarios. DRAM es rápido, tan utilizado para la memoria activa (en funcionamiento) pero es volátil, lo que significa que la información se pierde cuando se corta la energía. En efecto, La DRAM se 'olvida' continuamente y debe actualizarse constantemente. Flash no es volátil, permitiéndole llevar datos en su bolsillo, pero es muy lento. Es muy adecuado para el almacenamiento de datos, pero no se puede utilizar para la memoria activa.

El artículo, publicado en la edición de enero de la revista Transacciones IEEE en dispositivos electrónicos , muestra cómo las celdas de memoria individuales se pueden conectar juntas en matrices para hacer una RAM. Predice que tales chips igualarían al menos el rendimiento de velocidad de DRAM, pero hágalo 100 veces más eficientemente, y con la ventaja adicional de no volatilidad.

Esta nueva RAM no volátil, llamado ULTRARAM, sería una implementación funcional de la llamada 'memoria universal', combinando todas las ventajas de DRAM y flash, sin ninguno de los inconvenientes.

Profesor Manus Hayne, quién está liderando la investigación, dijo:"El trabajo publicado en este nuevo artículo representa un avance significativo, proporcionando un plan claro para la implementación de la memoria ULTRARAM ".

El equipo de Lancaster resolvió la paradoja de la memoria universal explotando un efecto mecánico cuántico llamado túnel resonante que permite que una barrera cambie de opaca a transparente aplicando un pequeño voltaje.

El nuevo trabajo describe sofisticadas simulaciones de este proceso; y propone un mecanismo de lectura para las celdas de memoria que debería mejorar el contraste entre estados lógicos en muchos órdenes de magnitud, permitiendo que las células se conecten en grandes conjuntos. También muestra que la transición nítida entre la opacidad y la transparencia de la barrera de túnel resonante facilita una arquitectura muy compacta con una alta densidad de bits.

El trabajo en curso está dirigido a la fabricación de chips de memoria de trabajo, incluida la fabricación de matrices de dispositivos, desarrollo de la lógica de lectura, escalado de dispositivos e implementación sobre silicio.