Esta geometría molecular y ángulo de enlace pueden entenderse basándose en la teoría de la repulsión de pares de electrones de la capa de valencia (VSEPR). En SiS$_2$, el átomo central de silicio (Si) está unido a dos átomos de azufre (S), cada uno a través de un doble enlace. El silicio tiene cuatro electrones de valencia, de los cuales dos están implicados en dobles enlaces con cada átomo de azufre. Esto deja dos pares de electrones solitarios en el átomo de silicio.
Según la teoría VSEPR, la disposición de los pares de electrones alrededor de un átomo central adoptará una geometría que minimice la repulsión entre ellos. En el caso de SiS$_2$, los dos pares solitarios de electrones del átomo de silicio están orientados lo más separados posible para minimizar la repulsión electrón-electrón. Esto da como resultado una geometría molecular doblada con un ángulo de enlace de aproximadamente 119,5 grados.
La forma molecular angular o en forma de V del disulfuro de silicio está influenciada por la repulsión entre los dos pares de electrones solitarios del átomo de silicio y los pares de electrones enlazantes involucrados en los dobles enlaces con los átomos de azufre. Esta disposición conduce a una geometría tetraédrica de pares de electrones distorsionada alrededor del átomo de silicio, dando lugar a la estructura molecular doblada.
