El proceso de añadir impurezas a un semiconductor se llama dopaje. El dopaje puede cambiar las propiedades eléctricas del semiconductor, como su conductividad, al cambiar el número de electrones libres o huecos en el material.
Hay dos tipos principales de dopaje:
dopaje tipo p y dopaje tipo n .
Dopaje tipo P Implica agregar átomos con un electrón de valencia menos que los átomos del semiconductor al semiconductor. Esto crea una carga neta positiva en el semiconductor, lo que conduce a la formación de agujeros. Estos agujeros pueden moverse libremente a través del semiconductor, permitiéndole conducir electricidad.
Dopaje tipo N Implica agregar átomos con un electrón de valencia más que los átomos del semiconductor al semiconductor. Esto crea una carga neta negativa en el semiconductor, lo que conduce a la formación de electrones libres. Estos electrones pueden moverse libremente a través del semiconductor, permitiéndole conducir electricidad.
Cuando un semiconductor está dopado con impurezas de tipo n y de tipo p, crea una unión p-n. Las uniones P-n son los componentes básicos de los transistores, que se utilizan en una amplia variedad de dispositivos electrónicos.
