1. Preparación del sustrato:
- Elija un material de sustrato adecuado, como lámina de cobre o lámina de níquel.
- Limpiar el sustrato para eliminar posibles contaminantes.
2. Deposición de catalizador:
- Depositar una capa delgada de un metal catalizador (por ejemplo, cobre o níquel) sobre la superficie del sustrato usando técnicas como pulverización catódica, evaporación o deposición química de vapor.
3. Introducción a la fuente de carbono:
- Introducir una fuente de carbono en la cámara de crecimiento, normalmente en forma de gas hidrocarburo (por ejemplo, metano, etileno).
4. Condiciones de crecimiento:
- Calentar el sustrato a una temperatura elevada (normalmente entre 800°C y 1200°C).
- Controlar los caudales de la fuente de carbono y los gases portadores (por ejemplo, hidrógeno o argón).
- Mantener condiciones de crecimiento específicas para favorecer la formación de una capa continua de grafeno.
5. Seguimiento del crecimiento:
- Monitorizar el proceso de crecimiento en tiempo real mediante técnicas como la microscopía óptica o la microscopía de efecto túnel (STM).
6. Terminación y Enfriamiento:
- Después de alcanzar la cobertura de grafeno deseada, detenga el flujo de la fuente de carbono y deje que el sistema se enfríe a temperatura ambiente.
7. Transferencia (opcional):
- En los casos en que el grafeno se cultiva sobre un sustrato de sacrificio, se puede transferir a un sustrato diferente para su posterior procesamiento o caracterización.
Al controlar cuidadosamente las condiciones de crecimiento, es posible lograr películas de grafeno de alta calidad y de gran superficie. Estos rollos continuos de grafeno tienen aplicaciones potenciales en diversos campos, incluidos la electrónica, el almacenamiento de energía, la optoelectrónica y los materiales compuestos.
