Cuando el grafeno está muy cerca de otros átomos o materiales, las propiedades electrónicas del grafeno pueden alterarse significativamente. Esto se debe a la interacción entre la capa de grafeno y los átomos o materiales vecinos, lo que puede provocar cambios en la estructura de la banda electrónica y dispersión de los portadores de carga.
Uno de los efectos más destacados de la proximidad sobre la resistencia del grafeno es el fenómeno de la transferencia de carga. Cuando el grafeno está en contacto con un metal, por ejemplo, los portadores de carga (electrones o huecos) pueden transferirse del metal al grafeno o viceversa. Esta transferencia de carga puede alterar el nivel de Fermi del grafeno, lo que a su vez afecta la resistencia eléctrica.
Otro factor importante que influye en la resistencia del grafeno es la presencia de defectos o impurezas en la capa de grafeno. Los defectos pueden actuar como centros de dispersión de los portadores de carga, lo que provoca un aumento de la resistencia eléctrica. El tipo y la densidad de los defectos pueden afectar significativamente las propiedades eléctricas del grafeno.
La proximidad de los materiales dieléctricos al grafeno también puede afectar a su resistencia. Los materiales dieléctricos pueden inducir una carga de polarización en el grafeno, que puede modificar la concentración y dispersión del portador de carga. Este efecto es particularmente importante en los transistores de efecto de campo basados en grafeno, donde el dieléctrico de puerta juega un papel crucial en el control de las propiedades eléctricas del grafeno.
En resumen, la proximidad de otros átomos, materiales o defectos pueden afectar significativamente la resistencia del grafeno. Comprender y controlar estos efectos de proximidad es esencial para optimizar el rendimiento de los dispositivos electrónicos basados en grafeno y aprovechar todo el potencial de este extraordinario material.
