En una revisión exhaustiva, investigadores de la Universidad de Soochow, el Instituto de Grafeno de Beijing y Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co., Ltd. han colaborado para proporcionar una descripción general sistemática del progreso y las posibles aplicaciones del grafeno como capa amortiguadora para el crecimiento epitaxial de nitruro. P>
El documento reúne perspectivas del mundo académico, instituciones de investigación y profesionales de la industria de semiconductores para proponer soluciones a problemas críticos en la tecnología de semiconductores.
El grafeno, un material bidimensional conocido por sus excepcionales propiedades eléctricas y mecánicas, ha despertado un gran interés por su posible uso en el desarrollo de semiconductores de nitruro. A pesar de los avances notables en el crecimiento del grafeno por deposición química de vapor (CVD) en varios sustratos aislantes, producir grafeno de alta calidad y lograr una compatibilidad de interfaz óptima con materiales de nitruro del Grupo III siguen siendo desafíos importantes en el campo.
La revisión proporciona una mirada en profundidad a los obstáculos en las técnicas de fabricación de grafeno transferido y los últimos avances en el crecimiento de grafeno sin transferencia. También analiza el progreso actual en el cultivo de grafeno sin transferencia en diferentes sustratos aislantes y sus posibles aplicaciones en la epitaxia de nitruro.
El documento describe además el futuro prometedor de la tecnología de crecimiento de grafeno sin transferencia en el sector de la epitaxia de nitruro e identifica los desafíos que deben superarse para aprovechar todo su potencial. Con un análisis exhaustivo de la literatura existente, la revisión sirve como guía técnica y de aplicación para el uso de grafeno en el crecimiento epitaxial de nitruro, lo que fomenta más investigaciones en el área.
Esta revisión no solo ofrece información valiosa a investigadores y profesionales, sino que también traza un rumbo para futuras direcciones de investigación e innovaciones tecnológicas en el campo del crecimiento epitaxial de nitruro.
Más información: Xiang Gao et al, Grafeno por deposición química de vapor sin transferencia para epitaxia de nitruro:desafíos, estado actual y perspectivas futuras, Science China Chemistry (2023). DOI:10.1007/s11426-023-1769-y
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