El equipo dirigido por el profesor Michael Horn-von Hoegen de UDE tiene como objetivo producir la capa de boro más delgada posible, el llamado borofeno, ya que promete propiedades que podrían permitir la construcción de transistores bidimensionales. La epitaxia de haces moleculares utilizada para este propósito hasta ahora da como resultado dominios que son demasiado pequeños. Para investigaciones más precisas y para su uso en tecnología, sin embargo, se necesitan áreas más grandes.

Con su método recientemente desarrollado de epitaxia mejorada por segregación, el equipo utiliza gas borazina y un sustrato de iridio. Los componentes esenciales de la borazina son átomos de boro y nitrógeno que están dispuestos en una estructura de panal hexagonal. Al calentar la muestra de iridio en un entorno que contenga borazina, las moléculas de boro se adhieren a la superficie, seguido de la evaporación del nitrógeno. Por encima de 1100 ° C, el boro se mueve hacia el iridio, porque a temperaturas tan altas, el iridio puede absorber átomos de boro adicionales como una esponja, hasta una cuarta parte de su propio volumen. Cuando el sistema se haya enfriado, el borofeno, la capa de un solo átomo de boro, precipita en la superficie del cristal de iridio. En el proceso, no crece más allá de los escalones de la superficie del cristal subyacente, sino que los empuja en todas direcciones para formar áreas lo más grandes posible.

Siguiente paso:desapego

Expertos del Centro Interdisciplinario de Análisis en Nanoescala (ICAN), dirigido por el profesor Frank-J. Meyer zu Heringdorf, Pudieron demostrar más allá de toda duda que las áreas están compuestas exclusivamente por átomos de boro y que el nitrógeno ha desaparecido de la muestra.

En un próximo paso, los investigadores quieren investigar cómo se puede desprender el borofeno del sustrato de iridio.