Científicos de materiales de la Universidad de California, Irvine y otras instituciones han hecho un descubrimiento revolucionario en el estudio de heteroestructuras de óxidos, sustancias que tienen el potencial de revolucionar la electrónica avanzada, tecnologías de memoria y fotovoltaica.

En un artículo publicado hoy en Nanotecnología de la naturaleza , los investigadores informan de la observación directa de una conductancia anisotrópica en una interfaz ferroeléctrica-aislante.

Utilizando sondas de barrido y técnicas de microscopía electrónica de transmisión, El equipo descubrió que la conducción a lo largo de la interfaz muestra un fuerte comportamiento direccionalmente dependiente con respecto a la orientación de los dominios ferroeléctricos rayados en la película delgada de ferrita de bismuto sobre un sustrato de escaneado de terbio. La interfaz conduce cuando la medición se realiza en paralelo a las franjas de dominio de 109 °, pero aísla cuando se mide en una dirección perpendicular.

Según el autor correspondiente Xiaoqing Pan, Director del Instituto de Investigación de Materiales de Irvine y profesor de ciencia e ingeniería de materiales de la UCI, esta propiedad es ventajosa porque permite la modulación de la conductividad mediante conmutación de polarización, permitiendo un control sin precedentes de múltiples grados de libertad y facilitando el diseño de nuevas funcionalidades en microelectrónica.

"Aunque nuestro trabajo se centra en este material de ferrita de bismuto, este conocimiento puede extenderse a sistemas ferroeléctricos similares, ", dijo." Creemos que nuestros resultados abrirán la posibilidad de realizar nuevos dispositivos ferroeléctricos, que funcionaría de una manera sustancialmente diferente a las tecnologías actuales ".