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  • Los investigadores construyen transistores de nanotubos de carbono que superan a los fabricados con silicio

    Diagrama esquemático que muestra la estructura de un GC CNT FET. Crédito:(c) Ciencias (2017). DOI:10.1126 / science.aaj1628

    (Phys.org) —Un equipo de investigadores de la Universidad de Pekín ha construido un transistor de trabajo basado en nanotubos de carbono e informa que superó a los transistores más grandes hechos con silicio. En su artículo publicado en la revista Ciencias , el equipo describe cómo construyeron el transistor, cómo funcionó y los desafíos que aún quedan antes de que estos transistores puedan producirse en masa.

    Todos en el negocio de las computadoras saben que el límite al que se pueden hacer más pequeños los transistores basados ​​en silicio se está acercando cada vez más, tantos equipos de todo el mundo están buscando un sustituto adecuado. Uno de los candidatos más prometedores son los nanotubos de carbono, debido a sus propiedades únicas, los transistores basados ​​en ellos podrían ser más pequeños, más rápido y más eficiente. Desafortunadamente, la dificultad para cultivar nanotubos de carbono y su naturaleza a veces delicada significa que no se ha encontrado una forma de fabricarlos y producirlos en masa. En este nuevo esfuerzo, los investigadores informan sobre un método para crear transistores de nanotubos de carbono que son adecuados para pruebas, pero no la producción en masa.

    Para crear los transistores, los investigadores adoptaron un enfoque novedoso:en lugar de cultivar nanotubos de carbono que tenían ciertas propiedades deseadas, cultivaron algunos y los colocaron al azar en una superficie de silicio y luego agregaron componentes electrónicos que funcionarían con las propiedades que tenían, claramente no es una estrategia que funcionaría para la producción en masa, pero uno que permitió construir un transistor de nanotubos de carbono que podría probarse para ver si verificaría las teorías sobre su desempeño. Al darse cuenta de que todavía habría problemas de escalado con electrodos tradicionales, los investigadores construyeron un nuevo tipo grabando láminas muy pequeñas de grafeno. El resultado fue un transistor muy pequeño, el equipo informa, capaz de mover más corriente que un transistor CMOS estándar usando solo la mitad de la cantidad normal de voltaje. También fue más rápido debido a un retardo de cambio mucho más corto, cortesía del retardo intrínseco de solo 70 femtosegundos.

    El trabajo realizado por el equipo en China es importante porque ofrece evidencia física de que el dinero que se gasta en la investigación de nanotubos de carbono como un reemplazo viable del silicio de hecho valdrá la pena si se puede encontrar una forma de producirlos en masa.

    © 2017 Phys.org




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