Instituto de Tecnología Avanzada de Samsung, la incubadora principal de I + D de Samsung Electronics, ha desarrollado una nueva estructura de transistor que utiliza grafeno.
Como se publicó en línea en la revista. Ciencias el jueves, 17 de mayo Se considera que esta investigación nos ha acercado un paso más al desarrollo de transistores que pueden superar los límites del silicio convencional.
En la actualidad, Los dispositivos semiconductores constan de miles de millones de transistores de silicio. Para aumentar el rendimiento de los semiconductores (la velocidad de los dispositivos), las opciones deben ser reducir el tamaño de los transistores individuales para acortar la distancia de viaje de los electrones, o utilizar un material con mayor movilidad de electrones que permita una velocidad de electrones más rápida. Durante los últimos 40 años, la industria ha aumentado el rendimiento al reducir el tamaño. Sin embargo, los expertos creen que ahora nos estamos acercando a los límites potenciales de la reducción.
Dado que el grafeno posee una movilidad de electrones unas 200 veces mayor que la del silicio, se ha considerado un posible sustituto. Aunque un problema con el grafeno es que, a diferencia de los materiales semiconductores convencionales, la corriente no se puede desconectar porque es semimetálica. Este se ha convertido en el tema clave en la realización de transistores de grafeno. Se requiere un flujo de corriente de encendido y apagado en un transistor para representar el "1" y el "0" de las señales digitales. Las soluciones e investigaciones anteriores han intentado convertir el grafeno en un semiconductor. Sin embargo, esto disminuyó radicalmente la movilidad del grafeno, lo que lleva al escepticismo sobre la viabilidad de los transistores de grafeno.
Al rediseñar los principios operativos básicos de los conmutadores digitales, El Instituto de Tecnología Avanzada de Samsung ha desarrollado un dispositivo que puede apagar la corriente en grafeno sin degradar su movilidad. La barrera Schottky de grafeno-silicio demostrada puede encender o apagar la corriente controlando la altura de la barrera. El nuevo dispositivo se llamó Barristor, después de su característica de barrera controlable.
Además, ampliar la investigación sobre la posibilidad de aplicaciones de dispositivos lógicos, se fabricaron la puerta lógica más básica (inversor) y los circuitos lógicos (medio sumador), y se demostró el funcionamiento básico (adición).
El Instituto de Tecnología Avanzada de Samsung posee 9 patentes importantes relacionadas con la estructura y el método operativo del Graphene Barristor.
