(PhysOrg.com) - Los nanotecnólogos de los institutos de investigación MESA + y MIRA de la Universidad de Twente han desarrollado un método para incorporar elementos magnéticos en materiales no magnéticos de una manera altamente controlada. Usando esta técnica, Es posible cambiar drásticamente el comportamiento eléctrico de los metales e incluso dar propiedades magnéticas a los semiconductores. Los resultados se han publicado en una revista científica líder Nanotecnología de la naturaleza .
Los investigadores de la Universidad de Twente pudieron incorporar elementos magnéticos en una capa de oro no magnética de una manera altamente controlada. Lo hicieron cubriendo la capa de oro con una sola capa de moléculas orgánicas, cada uno contiene un solo ión metálico:algunos contienen cobalto y otros contienen zinc. Los iones de cobalto tienen un espín de electrones desapareado y, por lo tanto, se comportan como un imán elemental, mientras que los iones de zinc no tienen propiedades magnéticas. Al ajustar la concentración relativa de iones de cobalto y zinc, es posible ajustar las propiedades magnéticas del material final. El autoensamblaje molecular hace que los compuestos metálicos se extiendan de manera homogénea sobre la capa de oro.
Lo que hace que el método sea tan especial es que produce concentraciones sin precedentes de "dopaje" magnético sin que los elementos magnéticos se agrupen. En los métodos utilizados hasta la fecha, fue muy difícil distribuir los elementos magnéticos de manera homogénea sobre el material final, particularmente a altas concentraciones.
Utilizando el método desarrollado en la Universidad de Twente, es posible crear materiales con propiedades completamente nuevas. Esto allana el camino para los semiconductores con propiedades magnéticas:uno de los santos griales de la física. Los semiconductores de este tipo podrían usarse tanto para el almacenamiento de memoria (magnético) como para el procesamiento de datos (eléctrico) en una nueva generación de computadoras.
