A temperatura ambiente, la energía térmica no es suficiente para romper los enlaces covalentes y generar un número significativo de portadores de carga libres. Como resultado, el silicio puro se comporta como un aislante y presenta una conductividad eléctrica muy baja.
Para aumentar la conductividad eléctrica del silicio, se introducen impurezas o dopantes en su estructura cristalina mediante un proceso llamado "dopaje". Al agregar átomos dopantes específicos, como fósforo o boro, el material semiconductor se puede transformar en un semiconductor de tipo n o de tipo p, respectivamente.
En el silicio tipo n, los átomos dopantes donan electrones adicionales al semiconductor, creando un excedente de electrones libres que pueden moverse y conducir electricidad. Por otro lado, en el silicio tipo p, los átomos dopantes crean agujeros, que son vacantes cargadas positivamente donde faltan electrones. Estos agujeros también pueden mover y transportar carga eléctrica, contribuyendo a la conductividad del material.
Al controlar cuidadosamente el tipo y la concentración de átomos dopantes, las propiedades eléctricas del silicio se pueden adaptar para lograr el nivel deseado de conductividad eléctrica, lo que lo convierte en un material semiconductor versátil para diversas aplicaciones electrónicas.
