En una estructura MIM, una fina capa de material aislante se intercala entre dos electrodos metálicos. Cuando se aplica voltaje a los electrodos, el campo eléctrico en el aislante puede hacer que el material se rompa y forme una ruta conductora entre los electrodos. Este proceso se llama conmutación resistiva.
Las características de conmutación resistiva de una estructura MIM dependen de varios factores, incluidos los materiales utilizados, el espesor de la capa aislante y el voltaje aplicado. Sin embargo, se ha demostrado que las estructuras MIM exhiben excelentes propiedades de conmutación resistiva, lo que las hace ideales para su uso en dispositivos de memoria resistiva.
Los dispositivos de memoria resistiva son un tipo de memoria no volátil que utiliza el efecto de conmutación resistiva para almacenar datos. Los dispositivos de memoria resistiva son candidatos prometedores para una serie de aplicaciones, incluidas unidades de estado sólido, memoria integrada y computación neuromórfica.
