Un equipo dirigido por investigadores de la Universidad de Koç, Turquía y EPFL, Suiza, ha desarrollado una técnica monolítica para fabricar nanocables de silicio que abarcan trincheras ultraprofundas de silicio.

El enfoque se asemeja a un extremo, versión a nanoescala del proceso SCREAM desarrollado a principios de los 90 para la fabricación de MEMS. Esta nueva tecnología de fabricación se basa en "tallar" nanocables de silicio dentro de un trozo de cristal de silicio de modo que los nanocables estén completamente integrados con otras estructuras de silicio que son miles de veces más grandes. La dimensión mínima del nanoalambre es del orden de 20 nm y los nanocables se asemejan a cables suspendidos que cuelgan a una distancia de 10 micrones del fondo de la zanja con espacio para mejorar aún más la profundidad de grabado.

La tecnología se basa en un intrincado equilibrio entre dos procesos de grabado con plasma diferentes. Como el primer proceso crea el componente a nanoescala, el proceso posterior se encarga de grabar profundas trincheras. Protección del puente en miniatura, el nanoalambre, durante este duro grabado profundo es crucial para el éxito de la técnica.

El aspecto atractivo de esta tecnología de arriba hacia abajo es que los nanocables y las estructuras de microescala se forman simultáneamente, lo que permite la fabricación en el lugar sin necesidad de transporte, manipular y "pegar" los nanocables en la ubicación deseada. De esta manera, cada nanoalambre de silicio queda perfectamente alineado con respecto a la arquitectura circundante. Por eso, se pueden formar millones de tales puentes en paralelo. La tecnología abre la posibilidad de unir estructuras muy gruesas con canales muy delgados. Se espera que encuentre aplicaciones especialmente en sensores SOI MEMS.