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  • Los ingenieros abordan una clase de materiales difíciles de mapear
    Los investigadores de Rice utilizaron microscopía electrónica de transmisión de barrido de cuatro dimensiones para analizar la estructura del material (primer panel desde la izquierda); su análisis arrojó un mapa de deformación ferroelástica de una escama del material (segundo y tercer panel). Los recuadros en el tercer panel representan direcciones de polarización en diferentes dominios de franjas. Crédito:Laboratorio Han/Universidad Rice

    Las propiedades que hacen que materiales como los semiconductores sean tan buscados resultan de la forma en que sus átomos están conectados, y el conocimiento de estas configuraciones atómicas puede ayudar a los científicos a diseñar nuevos materiales o utilizar materiales existentes de maneras nuevas e imprevistas.



    El científico de materiales de la Universidad Rice, Yimo Han, y sus colaboradores han mapeado las características estructurales de un material ferroeléctrico 2D hecho de átomos de estaño y selenio, mostrando cómo los dominios (áreas del material en las que las moléculas están orientadas de manera idéntica) impactan el comportamiento del material. /P>

    "Los materiales ferroeléctricos se utilizan ampliamente en aplicaciones como memorias y sensores, y probablemente serán cada vez más útiles para construir nanoelectrónica y computación en memoria de próxima generación", dijo Chuqiao Shi, estudiante graduado de Rice en el laboratorio Han y autor principal de el estudio publicado en Nature Communications. "Esto se debe a que los materiales ferroeléctricos 2D tienen propiedades notables y se caracterizan por su delgadez atómica y capacidades de integración mejoradas".

    En los materiales ferroeléctricos, las moléculas están polarizadas y también se segregan y alinean según la polarización. Además, los ferroeléctricos 2D cambian de forma en respuesta a estímulos eléctricos, un fenómeno conocido como flexoelectricidad inversa. En el cristal de estaño y selenio en el que se centra esta investigación, las moléculas se autoorganizan en parches o dominios, y el efecto flexoeléctrico hace que se muevan, dando lugar a cambios estructurales en el material que afectan sus propiedades y comportamiento.

    "Es realmente importante que comprendamos la intrincada relación entre la estructura atómica y la polarización eléctrica, que es una característica crítica de los materiales ferroeléctricos", dijo Han, profesor asistente de ciencia de materiales y nanoingeniería. "Esta estructura dependiente del dominio puede resultar muy útil para que los ingenieros descubran cómo utilizar mejor el material y confiar en sus propiedades para diseñar aplicaciones".

    A diferencia de los ferroeléctricos convencionales en los que los átomos están unidos por una red rígida, en el cristal de selenita de estaño estudiado por Han y Shi, las fuerzas que unen a los átomos son más débiles, lo que le da a la red atómica una calidad más flexible y maleable.

    "El material pertenece a una clase especial de materiales 2D conocidos como ferroeléctricos de Van der Waals, cuyas propiedades podrían servir para diseñar sensores y dispositivos de almacenamiento de datos ultrafinos de próxima generación", dijo Shi. "Las fuerzas de Van der Waals son más débiles que los enlaces químicos; son el mismo tipo de fuerzas que permiten a los gecos desafiar la gravedad y escalar paredes.

    "Las suaves redes en el plano de este material 2D, junto con fuerzas de van der Waals entre capas relativamente más débiles, dan lugar a un paisaje estructural único. Estas características estructurales distintivas generan efectos exclusivos de los ferroeléctricos 2D que están ausentes en sus homólogos a granel".

    El mayor grado de flexibilidad o libertad de la red atómica en los ferroeléctricos 2D de van der Waals hace que sea más difícil trazar la relación entre polarización y estructura del material.

    "En nuestro estudio, desarrollamos una nueva técnica que nos permite observar simultáneamente la deformación en el plano y el orden de apilamiento fuera del plano, algo que las investigaciones convencionales de este material no podían hacer anteriormente", dijo Han. "Nuestros hallazgos están destinados a revolucionar la ingeniería de dominio en ferroeléctricos 2D de van der Waals y posicionarlos como componentes fundamentales en el desarrollo de dispositivos avanzados para el futuro", afirmó Han.

    Nota de corrección (7/12/2023):En el párrafo 4, 'flexoelectricidad' se ha actualizado a 'flexoelectricidad inversa' para mayor precisión."

    Más información: Chuqiao Shi et al, Deformación dependiente del dominio y apilamiento en ferroeléctricos bidimensionales de van der Waals, Nature Communications (2023). DOI:10.1038/s41467-023-42947-3

    Información de la revista: Comunicaciones sobre la naturaleza

    Proporcionado por la Universidad Rice




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