Una molécula orgánica que ha demostrado ser eficaz para fabricar componentes electrónicos basados ​​en silicio puede ser viable para fabricar componentes electrónicos en láminas de carbono de solo una molécula de espesor. Investigadores del Instituto Max Planck para la Investigación del Estado Sólido en Stuttgart informan del avance en un artículo que aparece en línea en la revista. Revisión física B el 1 de junio.

Las capas de carbono ultradelgadas conocidas como grafeno son prometedoras como base para una serie de dispositivos electrónicos extremadamente pequeños y eficientes. Pero para crear un componente útil, las propiedades electrónicas de materiales como el silicio o el grafeno deben adaptarse mediante un proceso de dopaje.

Típicamente, Los dispositivos basados ​​en silicio se dopan reemplazando algunos de los átomos en un cristal de silicio con varios átomos o moléculas dopantes. En grafeno, por otra parte, los dopantes generalmente se depositan en la parte superior de la hoja de carbono en lugar de ocupar el lugar de algunos de los átomos de carbono. Materiales como el oro, El bismuto y el dióxido de nitrógeno se han utilizado para dopar el grafeno con diversos grados de éxito.

Ahora, Los investigadores del Instituto Max Planck han descubierto que el compuesto F4-TCNQ (tetrafluoro-tetracianoquinodimetano), que ha demostrado su eficacia para producir LED en silicio, parece encajar en la factura del grafeno también. F4-TCNQ forma capas estables sobre el grafeno que son bastante robustas bajo la exposición a niveles elevados de calor y luz. y puede controlar las propiedades eléctricas del grafeno de formas que sugieren que puede ser una buena opción como dopante.

En un artículo de Viewpoint en la edición actual de Física APS , Alexei Fedorov del Laboratorio Nacional Lawrence Berkeley describe los desafíos de crear dispositivos electrónicos construidos con grafeno y los intentos recientes de identificar materiales de dopaje para hacer el trabajo.